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DQ1260	文件：431.38 Kbytes Page：3 Pages	SMDShieldedBasePlatePowerInductorSeries	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
DS1260	文件：273.03 Kbytes Page：8 Pages	SmartBattery DESCRIPTION TheDS1260SmartBatteryisalow-cost,backupenergysupplyforportableandnonvolatileelectronicequipment.Alithiumenergysourceofupto1amphourcansupplypowertoCMOSelectroniccircuitswhenprimarypowerislostthroughanintelligentandefficientswitch.Whenpoweris	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DU1260T	文件：197.9 Kbytes Page：3 Pages	RFMOSFETPowerTransistor,6OW,12V2-175MHz Features •N-ChannelEnhancementModeDevice •DMOSStructure •LowerCapacitancesforBroadbandOperation •HighSaturatedOutputPower •LowerNoiseFigureThanBipolarDevices •SpecificallyDesignedfor12VoltApplications	MACOM Tyco Electronics	MACOM
DU1260T	文件：156.65 Kbytes Page：3 Pages	RFPowerMOSFETTransistor60W,2-175MHz,12V Features •N-Channelenhancementmodedevice •DMOSstructure •Lowercapacitancesforbroadbandoperation •Highsaturatedoutputpower •Lowernoisefigurethanbipolardevices •Specificallydesignedfor12voltapplications	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
EG1260	文件：1.84692 Mbytes Page：15 Pages	SLIDESWITCHES SLIDESWITCHES FEATURES&BENEFITS ►Varietyofpackagestyles&sizes ►Upto6poles ►Varietyoffunction ►Positivedetent ►SMToptions	E-SWITCH E-switch	E-SWITCH
ENA1260	文件：58.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •Ultrahighspeedswitching •1.8Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ENA1260A	文件：211.8 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
EPR1260	文件：45.7 Kbytes Page：1 Pages	ISDNS/T-InterfaceModule	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
EVAL-ADM1260EBZ	文件：803.27 Kbytes Page：71 Pages	SuperSequencerwithInterchipBusandNonvolatileFaultRecording	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
F1260	文件：38.93 Kbytes Page：2 Pages	PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR? GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications. SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetim	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet

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产品属性

产品编号：
A1260ELHLT-T
制造商：
Allegro MicroSystems
类别：
传感器，变送器 > 磁性传感器 - 开关（固态）
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
散装
功能：
卡销
技术：
霍尔效应
极化：
南极
感应范围：
5mT 跳闸，-5mT 释放
测试条件：
-40°C ~ 85°C
电压 - 供电：
3V ~ 24V
电流 - 供电（最大值）：
4mA
电流 - 输出（最大值）：
25mA
输出类型：
开路漏极
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
SOT-23W
封装/外壳：
SOT-23W
描述：
MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23W

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