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RM95N120T2

丝印:95N120;Package:TO-220-3L;N-Channel Super Trench Power MOSFET

General Features VDS =120V,ID =95A RDS(ON) =6 mΩ(typical) @ V GS=10V Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) Very low on-resistance RDS(on) Pb-free lead plating 100% UIS tested

文件:202.45 Kbytes 页数:4 Pages

RECTRON

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更多95N120供应商 更新时间2025-9-13 14:01:00