首页>935154522310-W0T>规格书详情
935154522310-W0T电容器的硅电容器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
935154522310-W0T |
| 参数属性 | 935154522310-W0T 封装/外壳为非标准型芯片；包装为托盘；类别为电容器的硅电容器；935154522310-W0T应用范围：高稳定性，垂直硅电容器，引线键合；产品描述：CAP SILICON 100PF 15% 150V SMD |
| 功能描述 | Ultra-large band Wire bondable Vertical SiCap UWSC 0101 100pF BV150 |
| 封装外壳 | 非标准型芯片 |
| 文件大小 |
796.31 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Murata Manufacturing Co., Ltd |
| 企业简称 |
MURATA1【村田】 |
| 中文名称 | 村田制作所官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-27 22:59:00 |
| 人工找货 | 935154522310-W0T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
相关芯片规格书
更多- 935153521410-XXT
- 935153050510-XXT
- 935153521310-XXT
- 935153630510-XXT
- 935153634522-XXT
- 935153831510-E1T
- 935153831510-F1T
- 935153831510-F2T
- 935153831510-T3T
- 935153831510-W0T
- 935153837522-XXT
- 935154521310-XXT
- 935154521410-XXT
- 935154522310-E1T
- 935154522310-F1T
- 935154522310-F2T
- 935154050510-XXT
- 935153831510-W0T
935154522310-W0T规格书详情
935154522310-W0T属于电容器的硅电容器。由村田制作所制造生产的935154522310-W0T硅电容器硅电容器和薄膜电容器是使用半导体器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此，所提供的极高精度和控制能力可生产出具有卓越参数稳定性且近乎理想的电容器，但参数值范围相对有限，并且与最直接的竞争对手陶瓷器件相比，成本要高得多。
• Ultra large band performance to 67 GHz
• Resonance free
• Phase stability
• High rejection at 60 GHz
• Ultra-high stability of capacitance value:
o Temperature 70ppm/K (-55 °C to +150 °C)
o Voltage < -0.02/Volts
o Negligible capacitance loss through ageing
• Low profile: 0.10mm (standard).
• Break down voltage: 150V
• Low leakage current < 70pA
• High reliability
• High operating temperature (up to 150 °C)
• Compatible with high temperature cycling during manufacturing operations (exceeding 300 °C)
• Compatible with EIA 0101 footprint
• Applicable for standard wire bonding assembly (ball and wedge)
产品属性
更多- 产品编号：
935154522310-W0T
- 制造商：
Murata Electronics
- 类别：
电容器 > 硅电容器
- 系列：
UWSC
- 包装：
托盘
- 容差：
±15%
- ESL（等效串联电感）：
6pH
- 应用：
高稳定性，垂直硅电容器，引线键合
- 特性：
高可靠性，小尺寸
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C
- 封装/外壳：
非标准型芯片
- 高度：
0.005"（0.12mm）
- 大小 / 尺寸：
0.010" 长 x 0.010" 宽（0.25mm x 0.25mm）
- 描述：
CAP SILICON 100PF 15% 150V SMD
