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935153831510-T3T电容器的硅电容器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
935153831510-T3T |
| 参数属性 | 935153831510-T3T 封装/外壳为0202（0505 公制）；包装为托盘；类别为电容器的硅电容器；935153831510-T3T应用范围：高稳定性，垂直硅电容器，引线键合；产品描述：CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0202 |
| 功能描述 | Ultra large band Wire bondable Silicon Capacitor UWSC 0202 10nF BV30 |
| 封装外壳 | 0202（0505 公制） |
| 文件大小 |
1.07815 Mbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Murata Manufacturing Co., Ltd |
| 企业简称 |
MURATA1【村田】 |
| 中文名称 | 村田制作所官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-28 8:14:00 |
| 人工找货 | 935153831510-T3T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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935153831510-T3T规格书详情
935153831510-T3T属于电容器的硅电容器。由村田制作所制造生产的935153831510-T3T硅电容器硅电容器和薄膜电容器是使用半导体器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此，所提供的极高精度和控制能力可生产出具有卓越参数稳定性且近乎理想的电容器，但参数值范围相对有限，并且与最直接的竞争对手陶瓷器件相比，成本要高得多。
Ultra large band performance to 26 GHz
Resonance free
Phase stability
High rejection at 20 GHz
Ultra-high stability of capacitance value:
o Temperature 70ppm/K (-55 °C to +30 °C)
o Voltage <0.02/Volt
o Negligible capacitance loss through ageing
Low profile 0.25mm (standard), but lower thickness is possible (i.e 0.10mm) on request
Small size 0.5 x 0.5 mm (0202 format)
Break down voltage : 30V
Low leakage current < 70pA
High reliability
High operating temperature (up to 150 °C)
Compatible with high temperature cycling
during manufacturing operations (exceeding 300 °C)
Compatible with EIA 0202 footprint
Applicable for standard wire bonding assembly (ball and wedge)
产品属性
更多- 产品编号：
935153831510-T3T
- 制造商：
Murata Electronics
- 类别：
电容器 > 硅电容器
- 系列：
UWSC
- 包装：
托盘
- 容差：
±15%
- ESL（等效串联电感）：
6pH
- 应用：
高稳定性，垂直硅电容器，引线键合
- 特性：
高可靠性，小尺寸
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C
- 封装/外壳：
0202（0505 公制）
- 高度：
0.011"（0.27mm）
- 大小 / 尺寸：
0.020" 长 x 0.020" 宽（0.50mm x 0.50mm）
- 描述：
CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0202
