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FTC9012SQ	文件：102.21 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTC9012SR	文件：102.21 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTC9012SS	文件：102.21 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTC9012SX	文件：102.21 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
G9012	文件：164.96 Kbytes Page：2 Pages	TheG9012isdesignedforusein1WoutputamplifierofportableradiosinclassBpush-pulloperation.	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
G9012	文件：163.28 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALTRANSISTOR Description TheG9012isdesignedforusein1WoutputamplifierofportableradiosinclassBpush-pulloperation.	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GM9012	文件：246.06 Kbytes Page：3 Pages	ExcellentHFELinearityHFEhFE(2)=25(Min.)atVCE=6V,Ic=400mA.	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
GMBT9012	文件：221.29 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GMBT9012	文件：223.3 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GSMBT9012	文件：178.62 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GSMBT9012	文件：176.66 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
H9012	文件：134.6 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR PNPSILICONTRANSISTOR █1WOUTPUTAMPLIFIEROFPOTABLERADIOSINCLASSBPUSH-PULLOPERATION.	HuashanHuashan Electronic Devices Co 华汕电子器件	Huashan
HCS9012	文件：395.46 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
HE9012	文件：40.4 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHE9012isdesignedforusein1WoutputamplifierofportableradiosinclassBpush-pulloperation. Features •Hightotalpowerdissipation(PT:625mW) •Highcollectorcurrent(IC:500mA) •ComplementarytoHE9013 •Excellentlinearity	HSMC 华昕	HSMC
HN9012	文件：339.73 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications???????	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
ISL9012	文件：235 Kbytes Page：11 Pages	DualLDOwithLowNoise,LowIQ,andHighPSRR	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL9012	文件：233.82 Kbytes Page：11 Pages	DualLDOwithLowNoise,LowIQ,andHighPSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQ,andHighPSRR ISL9012isahighperformancedualLDOcapableofsourcing150mAcurrentfromchannel1and300mAfromchannel2.ThedevicehasalowstandbycurrentandhighPSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1μFto10μFwithESRofupto200mΩ. Feature	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL9012	文件：235.05 Kbytes Page：11 Pages	DualLDOwithLowNoise,LowIQ,andHighPSRR ISL9012isahighperformancedualLDOcapableof sourcing150mAcurrentfromChannel1,and300mAfrom Channel2.Thedevicehasalowstandbycurrentand high-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto 10µFwithESRofupto200mΩ. ThedeviceintegratesaPower-On-Reset(POR)func	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL9012	文件：595.95 Kbytes Page：12 Pages	DualLDOwithLowNoise,LowIQ,andHighPSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQ,andHighPSRR ISL9012isahighperformancedualLDOcapableofsourcing150mAcurrentfromChannel1,and300mAfromChannel2.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Featu	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL9012	文件：9.95425 Mbytes Page：44 Pages	Providinghigh-performancesolutionsforeverylinkinthesignalchain	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

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更多9012T/R供应商更新时间2024-5-18 10:18:00

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