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TPB80R300C	文件：1.20968 Mbytes Page：16 Pages	丝印：80R300C；Package：TO-263；800V Super-junction Power MOSFET Description 800V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：1.20968 Mbytes 页数：16 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TPB80R300C	文件：1.20966 Mbytes Page：16 Pages	丝印：80R300C；Package：TO-263；800V Super-junction Power MOSFET Description 800V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：1.20966 Mbytes 页数：16 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TPP80R300C	文件：1.20968 Mbytes Page：16 Pages	丝印：80R300C；Package：TO-220；800V Super-junction Power MOSFET Description 800V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：1.20968 Mbytes 页数：16 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TPP80R300C	文件：1.20966 Mbytes Page：16 Pages	丝印：80R300C；Package：TO-220；800V Super-junction Power MOSFET Description 800V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：1.20966 Mbytes 页数：16 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TPW80R300C	文件：1.20968 Mbytes Page：16 Pages	丝印：80R300C；Package：TO-247；800V Super-junction Power MOSFET Description 800V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：1.20968 Mbytes 页数：16 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TPW80R300C	文件：1.20966 Mbytes Page：16 Pages	丝印：80R300C；Package：TO-247；800V Super-junction Power MOSFET Description 800V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：1.20966 Mbytes 页数：16 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
IPA80R1K2P7	文件：955.13 Kbytes Page：13 Pages	丝印：80R1K2P7；Package：PG-TO220FullPAK；800V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：955.13 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPA80R360P7	文件：950.6 Kbytes Page：13 Pages	丝印：80R360P7；Package：PG-TO220FullPAK；800V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：950.6 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPAN80R280P7	文件：963.23 Kbytes Page：13 Pages	丝印：80R280P7；Package：PG-TO220FullPAK；800V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：963.23 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	80R280P7	17	23+	TO-252	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	80RIA10	IR	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	80RIA10	IR	23+	MODULE	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	80RIA10	IR	23+	MODULE	7000		询价
深圳市中联芯电子有限公司	80RIA10	INFINEON/英飞凌	2023+	MODULE	207	主打螺丝模块系列	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	80RIA120	VISHAY	2022+	TO-209AC(TO-94)	1500	长期供应,价格优势,全新原装,支持实单,	询价
浙江永芯科技有限公司	80RIA120	IR	23+	标准封装	5000	原厂授权一级代理 IGBT模块可控硅晶闸管熔断器质保	询价
深圳市达恩科技有限公司	80RIA120PBF	Vishay	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价

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