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B772	文件：272.29 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION The2SB772isPNPsilicontransistorsuitedfortheoutputstageof3Waudioamplifier,voltageregulator,DC-DCconverterandrelaydriver. FEATURES •Lowsaturationvoltage VCE(sat)≤−0.5V(IC=−2A,IB=−0.2A) •ExcellenthFElinearityandhighhFE hFE=60to400	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
B772	文件：376.41 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSPNPPLASTIC-ENCAPSULATETRANSISTORS DESCRIPTION The B772isavailableinSOT89package FEATURES AvailableinSOT89package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
B772	文件：3.53069 Mbytes Page：2 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
B772	文件：109.27 Kbytes Page：8 Pages	PNPmediumpowertransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
B772	文件：324.64 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES Lowspeedswitching. Lowsaturationvoltage. ExcellenthFElinearityandhighhFE. Complementary:D882 APPLICATIONS Audiofrequencypoweramplifier.	GALAXY-MICROCHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	GALAXY-MICRO
B772C	文件：208.95 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
B772C-GR	文件：208.95 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
B772C-O	文件：208.95 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
B772C-R	文件：208.95 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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