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74V1G08STR	文件：202.67 Kbytes Page：9 Pages	SINGLE 2-INPUT AND GATE DESCRIPTION The 74V1G08 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT AND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.8ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1µA(MAX.) at TA=25°C ■ HIGH NOISE IMMUNIT 文件：202.67 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74V1G08STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-74A，SOT-753；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：集成电路（IC）门和反相器描述：IC GATE AND 1CH 2-INP SOT23-5	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74V1G08	文件：49 Kbytes Page：7 Pages	SINGLE 2-INPUT AND GATE DESCRIPTION The 74V1G08 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT AND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.8ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1µA(MAX.) at TA=25°C ■ HIGH NOISE IMMUNIT 文件：49 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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74V1G08C	文件：49 Kbytes Page：7 Pages	SINGLE 2-INPUT AND GATE DESCRIPTION The 74V1G08 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT AND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.8ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1µA(MAX.) at TA=25°C ■ HIGH NOISE IMMUNIT 文件：49 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
74V1G08STR
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 门和反相器
系列：
74V
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
逻辑类型：
与门
输入数：
2
电压 - 供电：
2V ~ 5.5V
电流 - 输出高、低：
8mA，8mA
逻辑电平 - 低：
0.5V
逻辑电平 - 高：
1.5V
不同 V、最大 CL 时最大传播延迟：
7ns @ 5V，50pF
工作温度：
-55°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
SOT-23-5
封装/外壳：
SC-74A，SOT-753
描述：
IC GATE AND 1CH 2-INP SOT23-5

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更多74V1G08STR供应商更新时间2025-10-7 14:14:00

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