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71V67603S150PFGI8集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
71V67603S150PFGI8 |
| 参数属性 | 71V67603S150PFGI8 封装/外壳为100-LQFP；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
| 功能描述 | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect |
| 封装外壳 | 100-LQFP |
| 文件大小 |
302.92 Kbytes |
| 页面数量 |
23 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 23:00:00 |
| 人工找货 | 71V67603S150PFGI8价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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特性 Features
◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations
◆ Supports high system speed:
– 166MHz 3.5ns clock access time
– 150MHz 3.8ns clock access time
– 133MHz 4.2ns clock access time
◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte
write enable (BWE), and byte writes (BWx)
◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode
◆ 3.3V core power supply
◆ Power down controlled by ZZ input
◆ 3.3V I/O supply (VDDQ)
◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad
flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch
ball grid array (fBGA).
产品属性
- 产品编号：
71V67603S150PFGI8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR
- 存储容量：
9Mb（256K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
100-LQFP
- 供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
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