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71V67603S133BQI集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

71V67603S133BQI
厂商型号

71V67603S133BQI

参数属性

71V67603S133BQI 封装/外壳为165-TBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

功能描述

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

封装外壳

165-TBGA

文件大小

302.92 Kbytes

页面数量

23

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 9:20:00

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71V67603S133BQI规格书详情

特性 Features

◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆ Supports high system speed:

– 166MHz 3.5ns clock access time

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ 3.3V core power supply

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ 3.3V I/O supply (VDDQ)

◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array (fBGA).

产品属性

  • 产品编号:

    71V67603S133BQI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-TBGA

  • 供应商器件封装:

    165-CABGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

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