71V67603S150BGI8集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	71V67603S150BGI8
参数属性	71V67603S150BGI8 封装/外壳为119-BGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
功能描述	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
封装外壳	119-BGA
文件大小	302.92 Kbytes
页面数量	23 页
生产厂商	Renesas Technology Corp
企业简称	RENESAS【瑞萨】
中文名称	瑞萨科技有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-5 15:01:00
人工找货	71V67603S150BGI8价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆ Supports high system speed:

– 166MHz 3.5ns clock access time

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ 3.3V core power supply

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ 3.3V I/O supply (VDDQ)

◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array (fBGA).

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