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71V67603S150PFG8	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high system speed: – 166MHz 3.5ns clock access time – 150MHz 3.8ns clock access time – 133MHz 4.2ns clock access time ◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx) ◆ L 文件：302.92 Kbytes 页数：23 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V67603S150PFG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多71V67603S150PFG8供应商更新时间2026-10-4 15:00:00