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71V65803S133BGG8	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs ZBT™ Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71V65803S133BGG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：119-BGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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71V65803S133BGG8

文件：313.82 Kbytes

Page：27 Pages

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs ZBT™ Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(

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71V65803S133BGG8

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：托盘封装/外壳：119-BGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

产品编号：
71V65803S133BGG8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存储容量：
9Mb（512K x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
119-BGA
供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

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