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71V424L15YGI中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
71V424L15YGI |
| 参数属性 | 71V424L15YGI 封装/外壳为36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
| 功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM |
| 文件大小 |
72.68 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Integrated Device Technology, Inc. |
| 企业简称 |
IDT【集成器】 |
| 中文名称 | 深圳市集成器件技术有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-14 22:59:00 |
71V424L15YGI规格书详情
Description
The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high speed memory needs.
Features
◆512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM
◆JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
◆Equal access and cycle times
— Commercial and Industrial: 10/12/15ns
◆Single 3.3V power supply
◆One Chip Select plus one Output Enable pin
◆Bidirectional data inputs and outputs directly TTL-compatible
◆Low power consumption via chip deselect
◆Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and 44-pin, 400 mil TSOP.
产品属性
- 产品编号：
71V424L15YGI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
4Mb（512K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
36-SOJ
- 描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
SOJ36 |
7350 |
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询价 | ||
IDT(Renesas收购) |
23+ |
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IDT |
1931+ |
N/A |
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IDT |
22+ |
NA |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
2021+ |
SOJ-36 |
499 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
44-TSOP |
90000 |
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Renesas |
21+ |
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IDT-集成器 |
24+25+/26+27+ |
36-SOP |
6328 |
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IDT |
2021+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | |||
Renesas Electronics America In |
22+/23+ |
36-SOJ |
7500 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
