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71V424L12PHGI集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
![71V424L12PHGI](https://img.114ic.com/dgk/Renders/IDT,%20Integrated%20Device%20Technology%20Renders/800;PHG44;PHG;44.jpg)
厂商型号 |
71V424L12PHGI |
参数属性 | 71V424L12PHGI 封装/外壳为44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (512K x 8-Bit) |
文件大小 |
189.42 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | Renesas Electronics America |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-21 18:30:00 |
71V424L12PHGI规格书详情
Features
◆ 512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM
◆ JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
◆ Equal access and cycle times
— Commercial and Industrial: 10/12/15ns
◆ Single 3.3V power supply
◆ One Chip Select plus one Output Enable pin
◆ Bidirectional data inputs and outputs directly
TTL-compatible
◆ Low power consumption via chip deselect
◆ Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and
44-pin, 400 mil TSOP.
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
71V424L12PHGI属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的71V424L12PHGI存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
71V424L12PHGI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
4Mb(512K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
12ns
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
- 供应商器件封装:
44-TSOP II
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
TSOPII4410.2mm |
6000 |
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