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71V424L12YG集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

71V424L12YG
厂商型号

71V424L12YG

参数属性

71V424L12YG 封装/外壳为36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

功能描述

3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (512K x 8-Bit)
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

文件大小

189.42 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-16 18:30:00

71V424L12YG规格书详情

Features

◆ 512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM

◆ JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise

◆ Equal access and cycle times

— Commercial and Industrial: 10/12/15ns

◆ Single 3.3V power supply

◆ One Chip Select plus one Output Enable pin

◆ Bidirectional data inputs and outputs directly

TTL-compatible

◆ Low power consumption via chip deselect

◆ Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and

44-pin, 400 mil TSOP.

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

71V424L12YG属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的71V424L12YG存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    71V424L12YG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    12ns

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    36-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

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