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71V321L25PFG	文件：431.74 Kbytes Page：16 Pages	HIGH SPEED 3.3V 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS Features ◆High-speedaccess –Commercial&Industrial:25/35ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT71V321L —Active:325mW(typ.) —Standby:1mW(typ.) ◆TwoINTflagsforport-to-portcommunications ◆On-chipportarbitrationlogic(IDT71V321only) ◆BUSYoutputflag ◆Fullyasynchronous	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V321L25PFG	文件：124.53 Kbytes Page：15 Pages	HIGH SPEED 3.3V 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V321L25PFG	文件：142.97 Kbytes Page：15 Pages	HIGH SPEED 3.3V 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V321L25PFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：64-LQFP；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V321L25PFG8	文件：431.74 Kbytes Page：16 Pages	HIGH SPEED 3.3V 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS Features ◆High-speedaccess –Commercial&Industrial:25/35ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT71V321L —Active:325mW(typ.) —Standby:1mW(typ.) ◆TwoINTflagsforport-to-portcommunications ◆On-chipportarbitrationlogic(IDT71V321only) ◆BUSYoutputflag ◆Fullyasynchronous	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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71V321L25PFG8	文件：124.53 Kbytes Page：15 Pages	HIGH SPEED 3.3V 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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产品属性

产品编号：
71V321L25PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
16Kb（2K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
64-LQFP
供应商器件封装：
64-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP

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更多71V321L25PFG供应商更新时间2025-7-19 15:01:00

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