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71V25761S183PFG	文件：278.36 Kbytes Page：18 Pages	128K X 36 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆128Kx36memoryconfiguration ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –200MHz3.1nsclockaccesstime –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwr	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V25761S183PFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V25761S183PFG8	文件：278.36 Kbytes Page：18 Pages	128K X 36 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆128Kx36memoryconfiguration ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –200MHz3.1nsclockaccesstime –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwr	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V25761S183PFGI	文件：278.36 Kbytes Page：18 Pages	128K X 36 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆128Kx36memoryconfiguration ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –200MHz3.1nsclockaccesstime –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwr	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V25761S183PFGI8	文件：278.36 Kbytes Page：18 Pages	128K X 36 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆128Kx36memoryconfiguration ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –200MHz3.1nsclockaccesstime –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwr	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V25761S183PFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V25761S183PFGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71V25761S183BG	文件：513.179 Kbytes Page：23 Pages	128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V25761S183BGI	文件：513.179 Kbytes Page：23 Pages	128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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产品属性

产品编号：
71V25761S183PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x20）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

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