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71V25761S183PFG集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

71V25761S183PFG
厂商型号

71V25761S183PFG

参数属性

71V25761S183PFG 封装/外壳为100-LQFP;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

128K X 36 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

文件大小

278.36 Kbytes

页面数量

18

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-19 18:30:00

71V25761S183PFG规格书详情

Features

◆ 128K x 36 memory configuration

◆ Supports high system speed:

Commercial and Industrial:

– 200MHz 3.1ns clock access time

– 183MHz 3.3ns clock access time

– 166MHz 3.5ns clock access time

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write

enable (BWE), and byte writes (BWx)

71V25761S183PFG属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的71V25761S183PFG存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    71V25761S183PFG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    100-LQFP

  • 供应商器件封装:

    100-TQFP(14x20)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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