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71V124SA12YGI8	文件：192.06 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 10/12/15ns – Industrial: 10/12/15ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible 文件：192.06 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V124SA12YGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V124SA15TYG	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOJ-32	RENESAS(瑞萨)/IDT 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	RENESAS(瑞萨)/IDT
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71V2546SI50PF	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFP	IDT 上传：深圳市昂芯微科技有限公司	IDT

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更多71V124SA12YGI8供应商更新时间2025-11-1 10:04:00