71T75602S100BGI8规格书批发供应瑞萨-114ic电子网

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71T75602S100BGI8	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆ 512K x 36, 1M x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 200 MHz (3.2 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W 文件：348.97 Kbytes 页数：28 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71T75602S100BGI8	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs 文件：260.17 Kbytes 页数：26 Pages	IDT	IDT
71T75602S100BGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：119-BGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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71T75602S133PFG	文件：0 bytes Page：0 Pages	TQFP-100(14x20)	RENESAS(瑞萨)/IDT 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	RENESAS(瑞萨)/IDT

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