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71124S12YG8	文件：188.35 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise. ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 12/15/20ns – Industrial: 15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional inputs and outputs directly 文件：188.35 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71124S12YG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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更多71124S12YG8供应商更新时间2026-2-9 10:02:00