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71124S15YG	文件：188.35 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise. ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 12/15/20ns – Industrial: 15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional inputs and outputs directly 文件：188.35 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71124S15YG8	文件：188.35 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise. ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 12/15/20ns – Industrial: 15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional inputs and outputs directly 文件：188.35 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71124S15YGI	文件：188.35 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise. ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 12/15/20ns – Industrial: 15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional inputs and outputs directly 文件：188.35 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71124S15YGI8	文件：188.35 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise. ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 12/15/20ns – Industrial: 15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional inputs and outputs directly 文件：188.35 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71124S15YG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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71124S15YGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
71124S15YG8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

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更多71124S15Y供应商更新时间2025-11-18 15:01:00

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