71124S15YG中文资料下载原装现货瑞萨-114ic电子网

首页 >71124S15YG>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
71124S15YG	文件：188.35 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise. ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 12/15/20ns – Industrial: 15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional inputs and outputs directly 文件：188.35 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71124S15YG8	文件：188.35 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise. ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 12/15/20ns – Industrial: 15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional inputs and outputs directly 文件：188.35 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71124S15YGI	文件：188.35 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise. ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 12/15/20ns – Industrial: 15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional inputs and outputs directly 文件：188.35 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71124S15YGI8	文件：188.35 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise. ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 12/15/20ns – Industrial: 15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional inputs and outputs directly 文件：188.35 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71124S15YG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71124S15YGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71124S15YGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
71124S15YG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
标准国际(香港)有限公司	71124S15YG	IDT	25+		20	全新原装!优势库存热卖中!	询价
深圳市冠亿通科技有限公司	71124S15YG	IDT, Integrated Device Technol	24+25+		16500	全新原厂原装现货!受权代理!可送样可提供技术支持!	询价
深圳市福田区绿盛电子商行	71124S15YG	IDT	2018+		26976	代理原装现货/特价热卖!	询价
上海市鑫鸿达电子	71124S15YG	Integrated Device Technology (	2022+		1	全新原装货期两周	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	71124S15YG	IDT, Integrated Device Technol	24+	32-SOJ	56200	一级代理/放心采购	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	71124S15YG	IDT	1931+	N/A	521	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	71124S15YG	RENESAS(瑞萨)/IDT	2447	SOJ-32	315000	23个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
深圳市科雨电子有限公司	71124S15YG	IDT	25+	SOP-32	3854	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市易讯博科技有限公司	71124S15YG	IDT	22+	NA	521	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	71124S15YG	Integrated Device Technology	2022+	原厂原包装	8600	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价

更多71124S15YG供应商更新时间2026-1-31 16:20:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号