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71256SA12YG	文件：191.21 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit) Features ◆ 32K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ Commercial (0° to 70°C) and Industrial (-40° to 85°C) temperature options ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 12ns – Commercial and Industrial: 15/20/25ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional data inp 文件：191.21 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71256SA12YG8	文件：191.21 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit) Features ◆ 32K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ Commercial (0° to 70°C) and Industrial (-40° to 85°C) temperature options ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 12ns – Commercial and Industrial: 15/20/25ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional data inp 文件：191.21 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71256SA12YG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71256SA12YG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
71256SA12YG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
供应商器件封装：
28-SOJ
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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