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7130LA55P	文件：88.08 Kbytes Page：7 Pages	FAST CMOS OCTAL D REGISTERS (3-STATE) 文件：88.08 Kbytes 页数：7 Pages	IDT	IDT
7130LA55PDGI	文件：247.12 Kbytes Page：23 Pages	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM High-speed access – Commercial: 20/25/35/55/100ns (max.) – Industrial: 25/55ns (max.) – Military: 25/35/55/100ns (max.) ◆ Low-power operation – IDT7130/IDT7140SA — Active: 550mW (typ.) — Standby: 5mW (typ.) – IDT7130/IDT7140LA — Active: 550mW (typ.) — Standby: 1mW (typ.) ◆ MASTER IDT713 文件：247.12 Kbytes 页数：23 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
7130LA55PFGB8	文件：936.96 Kbytes Page：21 Pages	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM 文件：936.96 Kbytes 页数：21 Pages	IDT	IDT
7130LA55PFGI8	文件：936.96 Kbytes Page：21 Pages	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM 文件：936.96 Kbytes 页数：21 Pages	IDT	IDT
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7130LA55P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-DIP（0.600"，15.24mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8KBIT PARALLEL 48DIP	RENESAS 瑞萨	RENESAS
7130LA55PF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：64-LQFP；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8KBIT PARALLEL 64TQFP	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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产品属性

产品编号：
7130LA55P
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
8Kb（1K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
48-DIP（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
48-PDIP
描述：
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 48DIP

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更多7130LA55P供应商更新时间2026-4-18 16:20:00

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