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70V657S10BFGI

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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IDT

70V657S10BFGI8

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

文件:234.54 Kbytes 页数:24 Pages

IDT

70V657S10DRG

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

文件:200.22 Kbytes 页数:24 Pages

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70V657S10DRG

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

文件:234.54 Kbytes 页数:24 Pages

IDT

70V657S10DRG

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 12ns (max.) ◆ Dual chip enables allow for depth expansion without external logic ◆ IDT70V659/58/57 easily expands data bus wi

文件:321.08 Kbytes 页数:26 Pages

RENESAS

瑞萨

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更多70V657S10BFGI供应商 更新时间2026-1-28 10:03:00