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70V657S12BFG	文件：200.22 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：200.22 Kbytes 页数：24 Pages	IDT	IDT
70V657S12BFG	文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：234.54 Kbytes 页数：24 Pages	IDT	IDT
70V657S12BFGI	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 12ns (max.) ◆ Dual chip enables allow for depth expansion without external logic ◆ IDT70V659/58/57 easily expands data bus wi 文件：321.08 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70V657S12BFGI8	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 12ns (max.) ◆ Dual chip enables allow for depth expansion without external logic ◆ IDT70V659/58/57 easily expands data bus wi 文件：321.08 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70V657S12BFG8	文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：234.54 Kbytes 页数：24 Pages	IDT	IDT
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70V657S12BFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：208-LFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
70V657S12BFGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：208-LFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

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