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70V657S12BCGI	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 12ns (max.) ◆ Dual chip enables allow for depth expansion without external logic ◆ IDT70V659/58/57 easily expands data bus wi 文件：321.08 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70V657S12BCGI	文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：234.54 Kbytes 页数：24 Pages	IDT	IDT
70V657S12BCGI8	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 12ns (max.) ◆ Dual chip enables allow for depth expansion without external logic ◆ IDT70V659/58/57 easily expands data bus wi 文件：321.08 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70V657S12BCGI8	文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：234.54 Kbytes 页数：24 Pages	IDT	IDT
70V657S12BCGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：256-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
70V657S12BCGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
1.125Mb（32K x 36）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
256-LBGA
供应商器件封装：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA

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更多70V657S12BCGI供应商更新时间2026-1-26 18:08:00

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