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70V631S10PRFG	文件：511.46 Kbytes Page：25 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 12ns (max.) ◆ Dual chip enables allow for depth expansion without external logic ◆ IDT70V631 easily expands data bus width to 文件：511.46 Kbytes 页数：25 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70V631S10PRFG	文件：198.11 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：198.11 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V631S10PRFG	文件：231.91 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：231.91 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V631S10PRFG8	文件：231.91 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：231.91 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V631S10PRFG8	文件：198.11 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：198.11 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V631S10PRFGI	文件：198.11 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：198.11 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
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70V631S10PRFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：128-LQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 128TQFP	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
70V631S10PRFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
4.5Mb（256K x 18）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
128-LQFP
供应商器件封装：
128-TQFP（14x20）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 128TQFP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多70V631S10PRFG供应商更新时间2025-10-9 10:25:00

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