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70V639S10PRFG	文件：705.64 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70V639S10PRFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：128-LQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 2.25MBIT PAR 128TQFP	ETC	ETC
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产品属性

产品编号：
70V639S10PRFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
2.25Mb（128K x 18）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
128-LQFP
供应商器件封装：
128-TQFP（14x20）
描述：
IC SRAM 2.25MBIT PAR 128TQFP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多70V639S10PRFG供应商更新时间2025-7-30 10:03:00

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