70V631S10BCG资料datasheet下载批发采购-114ic电子网

首页 >70V631S10BCG>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
70V631S10BCG	文件：511.46 Kbytes Page：25 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 12ns (max.) ◆ Dual chip enables allow for depth expansion without external logic ◆ IDT70V631 easily expands data bus width to 文件：511.46 Kbytes 页数：25 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70V631S10BCG	文件：198.11 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：198.11 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V631S10BCG	文件：231.91 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：231.91 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V631S10BCG8	文件：511.46 Kbytes Page：25 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 12ns (max.) ◆ Dual chip enables allow for depth expansion without external logic ◆ IDT70V631 easily expands data bus width to 文件：511.46 Kbytes 页数：25 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70V631S10BCG8	文件：231.91 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：231.91 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V631S10BCG8	文件：198.11 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：198.11 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V631S10BCGI	文件：198.11 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：198.11 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V631S10BCGI	文件：231.91 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：231.91 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V631S10BCGI8	文件：231.91 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：231.91 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V631S10BCGI8	文件：198.11 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：198.11 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT

产品属性

产品编号：
70V631S10BCG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
4.5Mb（256K x 18）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
256-LBGA
供应商器件封装：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市斌腾达科技有限公司	70V631S10BCG	IDT, Integrated Device Technol	21+	48-VFBGA	5280	进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	70V631S10BCG	IDT, Integrated Device Technol	24+	256-CABGA(17x17)	56200	一级代理/放心采购	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	70V631S10BCG	IDT	1931+	N/A	1186	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	70V631S10BCG	RENESAS(瑞萨)/IDT	2447	CABGA-256(17x17)	315000	6个/托盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
深圳市科雨电子有限公司	70V631S10BCG	IDT	25+	BGA-256	12	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市冠亿通科技有限公司	70V631S10BCG	Renesas	25+		25000	原厂原包深圳现货主打品牌假一赔百可开票!	询价
深圳市易讯博科技有限公司	70V631S10BCG	IDT	22+	NA	1186	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	70V631S10BCG	Integrated Device Technology	2022+	原厂原包装	8600	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	70V631S10BCG	RENESAS(瑞萨)/IDT	24+	CABGA256(17x17)	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	70V631S10BCG		24+	N/A	75000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价

更多70V631S10BCG供应商更新时间2025-10-5 13:02:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号