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70T653MS12BCG	文件：705.77 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：705.77 Kbytes 页数：24 Pages	IDT	IDT
70T653MS12BCG	文件：236.18 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：236.18 Kbytes 页数：24 Pages	IDT	IDT
70T653MS12BCGI	文件：509.3 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 12ns (max.) ◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write cycles ◆ Dual chip enables allow for depth expansion wi 文件：509.3 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70T653MS12BCG8	文件：236.18 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：236.18 Kbytes 页数：24 Pages	IDT	IDT
70T653MS12BCG8	文件：705.77 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：705.77 Kbytes 页数：24 Pages	IDT	IDT
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70T653MS12BCGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：256-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256CABGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

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更多70T653MS12BCG供应商更新时间2025-10-14 8:03:00

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