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70T659S12BCG	文件：739.07 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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70T659S12BCG8	文件：739.07 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T659S12BCG8	文件：266.34 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T659S12BCGI	文件：739.07 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T659S12BCGI	文件：266.34 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T659S12BCGI8	文件：739.07 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T659S12BCGI8	文件：266.34 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T659S12BC	文件：431.37 Kbytes Page：29 Pages	HIGH-SPEED2.5V256/128Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T659S12BCI	文件：431.37 Kbytes Page：29 Pages	HIGH-SPEED2.5V256/128Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T659S12BFG	文件：739.07 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V256/128Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T659S12BFG	文件：266.34 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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70T659S12BFI	文件：431.37 Kbytes Page：29 Pages	HIGH-SPEED2.5V256/128Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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IDT70T659S12BC	文件：344.83 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V256/128Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Description TheIDT70T651/9isahigh-speed256/128Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T651/9isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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更多70T659S12BCG供应商更新时间2024-6-24 8:00:00

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