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70T659S15BC	文件：431.37 Kbytes Page：29 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 10/12ns (max.) ◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write cycles ◆ Dual chip enables allow for depth expansion 文件：431.37 Kbytes 页数：29 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70T659S15BC8	文件：431.37 Kbytes Page：29 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 10/12ns (max.) ◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write cycles ◆ Dual chip enables allow for depth expansion 文件：431.37 Kbytes 页数：29 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70T659S15BCG	文件：739.07 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：739.07 Kbytes 页数：28 Pages	IDT	IDT
70T659S15BCG	文件：266.34 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：266.34 Kbytes 页数：28 Pages	IDT	IDT
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产品属性

产品编号：
70T659S15BC
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 2.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
256-LBGA
供应商器件封装：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

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