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70T653MS10BCG	文件：509.3 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T653MS10BCG	文件：705.77 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70T653MS10BCG	文件：236.18 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70T653MS10BCG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：256-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
70T653MS10BCG8	文件：705.77 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70T653MS10BCGI	文件：705.77 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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产品属性

产品编号：
70T653MS10BCG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
18Mb（512K x 36）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 2.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
256-LBGA
供应商器件封装：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256CABGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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