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6ED2230S12CX7SA1	文件：825.61 Kbytes Page：22 Pages	1200 V Three Phase Gate Driver with Integrated Bootstrap Diode and OCP Features InfineonThinFilmSOItechnology Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation Fullyoperationalto+1200V Toleranttonegativetransientvoltageupto-100V(pulsewidthsupto700ns) Gatedrivesupplyrangefrom12Vto20V 25VVCCvoltagesupply(maximum) 3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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6ED2230S12CX7SA1

文件：825.61 Kbytes

Page：22 Pages

1200 V Three Phase Gate Driver with Integrated Bootstrap Diode and OCP

Features InfineonThinFilmSOItechnology Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation Fullyoperationalto+1200V Toleranttonegativetransientvoltageupto-100V(pulsewidthsupto700ns) Gatedrivesupplyrangefrom12Vto20V 25VVCCvoltagesupply(maximum) 3

InfineonInfineon Technologies AG

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更多6ED2230S12CX7SA1供应商更新时间2025-5-9 15:27:00

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