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6A1M	文件：41.46 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSILICONRECTIFIER FEATURES •Lowcost •Lowleakage •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highsurgecurrentcapability	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
6A1M	文件：479.77 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSILICONRECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-6.0Amperes FEATURES Lowcost Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability *Highsurgecurrentcapability	DCCOM Dc Components	DCCOM
6A1S	文件：283.96 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE:50---1000V CURRENT:6.0A FEATURES ◇Lowcost ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highcurrentcapability ◇Diffusedjunction ◇EasilycleanedwitnFreon,Alcohol,lsopropanolandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
6A1S	文件：56.32 Kbytes Page：2 Pages	AXIALSILASTICGUARDJUNCTIONSTANDARDRECTIFIER AXIALSILASTICGUARDJUNCTIONSTANDARDRECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT1.0Ampere FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Lowforwardvoltage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260/10secods.0.375”(9.5mm)leadle	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
6A1S	文件：698.24 Kbytes Page：3 Pages	PlasticSiliconRectifiers ReverseVoltage-50to1000Volts ForwardCurrent-6.0Amperes Features ●Lowcost ●Lowreverseleakagecurrent ●Lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapacity ●MeetULflammabilityclassification94V-0 Applications ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,polarityprotecti	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
6A1-T	文件：63.03 Kbytes Page：3 Pages	6.0ASILICONRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
6A1-T	文件：33.88 Kbytes Page：3 Pages	VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT6.0Amperes	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
6A1V	文件：573.01 Kbytes Page：6 Pages	SILICONRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
H6A1	文件：108.27 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerDiode1.7to37.2Volts Features •LowLeakage •LowZenerImpedance •HighReliability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
HZ6A1	文件：55.92 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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