丝印：6910；Package：SOP-8；Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERAL FEATURES | RosOM=16 mO@VES=10v © Ros =20 MO @VGS=4.5V | ® Super high density cell design for extremely low RoSON | ® Exceptional on-resistance and maximum DC curent cy |

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台舟电子

Cloth Gaffers Tape

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