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FDS6910-TP

丝印:6910;Package:SOP-8;Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERAL FEATURES | RosOM=16 mO@VES=10v © Ros =20 MO @VGS=4.5V | ® Super high density cell design for extremely low RoSON | ® Exceptional on-resistance and maximum DC curent cy |

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TECHPUBLIC

台舟电子

6910

Cloth Gaffers Tape

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3M

69101E3

Aluminum Electrolytic Capacitors Power Ultra Long Life Snap-In

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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更多6910供应商 更新时间2025-9-13 10:03:00