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6405	文件：63.11 Kbytes Page：2 Pages	InsulationPiercingClips	POMONA Pomona Electronics
A6405	文件：364.2 Kbytes Page：5 Pages	ACFilmCapacitorsLighting Features ■Self-healingproperties ■Lowdissipationfactor ■Highinsulationresisitance Construction ■Dielectric:polypropylenefilm ■Aluminiumcan ■Softpolyurethanresin ■Internaldischageresistor ■Overpressuredisconnector Typicalapplications Forgeneralsinewaveapplicat	EPCOSEPCOS - TDK Electronics 爱普科斯爱普科斯与TDK元件事业部
AO6405	文件：284.62 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6405usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO6405isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6405LisaGreenProductorde	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO6405	文件：1.72867 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-5A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO6405	文件：506.6 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO6405-HF	文件：2.47893 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-5A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO6405L	文件：284.62 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6405usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO6405isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6405LisaGreenProductorde	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AON6405	文件：251 Kbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AON6405	文件：986.65 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AON6405L	文件：133.82 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON6405LcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. -RoHSCompliant -HalogenFree Features VDS(V)=-30V ID=-30A(VGS=-1	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
ATA6405	文件：281.28 Kbytes Page：12 Pages	12/24VSYSTEMPOWERSUPPLYIC	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
BOXER-6405	文件：309.87 Kbytes Page：2 Pages	FanlessCompactEmbeddedComputerwithIntel®Celeron/Pentium™Processor Features ■SlimBoxerDesign:37mm ■RichI/O,DesignforAutoSystemControl ■WideOperatingTemperature-20°C~60°C ■GigabitEthernetx2,USBx4 ■SupportWallmount	AAEONAAEON Technology 研华科技研华科技股份有限公司
BOXER-6405M	文件：358.38 Kbytes Page：2 Pages	FanlessCompactEmbeddedComputerwithIntel®Celeron®/Pentium®Processor Features ■SlimBoxerDesign:42mm ■RichI/O,DesignforAutoSystemControl ■WideOperatingTemperature-20°C~60°C ■GigabitEthernetx2,USBx4 ■SupportWallmount	AAEONAAEON Technology 研华科技研华科技股份有限公司
CEB6405	文件：950.88 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-22A,RDS(ON)=46mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED6405	文件：702.89 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-20A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=62mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEM6405	文件：782.97 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-5.7A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. RDS(ON)=68mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEP6405	文件：950.88 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-22A,RDS(ON)=46mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEU6405	文件：702.89 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-20A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=62mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEZ6405	文件：785.15 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-21A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=62mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEZC6405	文件：1.0221 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-17A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=65mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多6405ERZ供应商更新时间2024-4-28 10:15:00

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