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613MLF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）时钟发生器，PLL，频率合成器描述：IC CLOCK MULT LOW PHASE 16-SOIC	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
613MLFT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）时钟发生器，PLL，频率合成器描述：IC CLOCK MULT LOW PHASE 16-SOIC	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
613	文件：146.02 Kbytes Page：2 Pages	LowProfile	OSCILENT Oscilent Corporation	OSCILENT
A613ERU	文件：193.6 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput,6WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
ADG613	文件：152.56 Kbytes Page：12 Pages	1pCChanrgeInjection,100pALeakage,CMOS-5V/5V/3VQuadSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG611/ADG612/ADG613aremonolithicCMOSdevicescontainingfourindependentlyselectableswitches.Theseswitchesofferultralowchargeinjectionof1pCoverthefullinputsignalrangeandtypicalleakagecurrentsof10pAat25°C. Thedevicesarefullyspecifiedfor±	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG613YRU	文件：152.56 Kbytes Page：12 Pages	1pCChanrgeInjection,100pALeakage,CMOS-5V/5V/3VQuadSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG611/ADG612/ADG613aremonolithicCMOSdevicescontainingfourindependentlyselectableswitches.Theseswitchesofferultralowchargeinjectionof1pCoverthefullinputsignalrangeandtypicalleakagecurrentsof10pAat25°C. Thedevicesarefullyspecifiedfor±	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXRS613	文件：421.26 Kbytes Page：12 Pages	짹150째/secYawRateGyroscope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXRS613BBGZ	文件：421.26 Kbytes Page：12 Pages	짹150째/secYawRateGyroscope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXRS613BBGZ-RL	文件：421.26 Kbytes Page：12 Pages	짹150째/secYawRateGyroscope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ATP613	文件：385.66 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP613	文件：493.5 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP613	文件：386.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP613-TL-H	文件：386.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD613	文件：127.4 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONEPIBASETRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD613	文件：121.23 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONEPIBASETRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BL-B613C	文件：203.01 Kbytes Page：2 Pages	BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES) BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-R613G	文件：203.01 Kbytes Page：2 Pages	BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES) BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BSO613SPV	文件：90 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSO613SPVG	文件：1.21967 Mbytes Page：9 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSP613P	文件：387.59 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS횘Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
613MLF
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 时钟发生器，PLL，频率合成器
包装：
管件
类型：
时钟/频率合成器
PLL：
是
输入：
时钟，晶体
输出：
CMOS
比率 - 输入：
2：2
差分 - 输入：
无/无
频率 - 最大值：
157.5MHz
分频器/倍频器：
是/是
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC CLOCK MULT LOW PHASE 16-SOIC

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更多613M供应商更新时间2024-4-30 10:36:00

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