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600S0R4BT250XT电容器的陶瓷电容器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
600S0R4BT250XT |
| 参数属性 | 600S0R4BT250XT 封装/外壳为0603（1608 公制）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为电容器的陶瓷电容器；600S0R4BT250XT应用范围：射频，微波，高频，旁通，去耦；产品描述：CAP CER 0.4PF 250V C0G/NP0 0603 |
| 功能描述 | Airfast RF Power GaN Transistor |
| 封装外壳 | 0603（1608 公制） |
| 文件大小 |
207.48 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | 恩XP |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-15 22:58:00 |
| 人工找货 | 600S0R4BT250XT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
600S0R4BT250XT规格书详情
This 27 dBm RF power GaN transistor is designed for cellular base station
applications covering the frequency range of 3300 to 3800 MHz.
特性 Features
• High terminal impedances for optimal broadband performance
• Designed for low complexity linearization systems
• Universal broadband driver
• Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations
产品属性
- 产品编号：
600S0R4BT250XT
- 制造商：
ETC
- 类别：
电容器 > 陶瓷电容器
- 系列：
ATC 600S
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 容差：
±0.1pF
- 电压 - 额定：
250V
- 温度系数：
C0G，NP0
- 工作温度：
-55°C ~ 125°C
- 特性：
高 Q 值，低损耗，超低 ESR
- 应用：
射频，微波，高频，旁通，去耦
- 安装类型：
表面贴装，MLCC
- 封装/外壳：
0603（1608 公制）
- 大小 / 尺寸：
0.063" 长 x 0.032" 宽（1.60mm x 0.81mm）
- 厚度（最大值）：
0.035"（0.89mm）
- 描述：
CAP CER 0.4PF 250V C0G/NP0 0603
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ATC |
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SMD |
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