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D5NM60	文件：558.91 Kbytes Page：18 Pages	N-channel650V@Tjmax,0.9Ω,8AMDmesh™PowerMOSFETTO-220,TO-220FP,D2PAK,DPAK,IPAK Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPower MOSFETtechnologythatassociatesthemultiple drainprocesswiththecompany’sPowerMESH™ horizontallayout.Theresultingproducthasan outstandinglowon-resistance,impressivelyhigh dv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.The	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD5NM60	文件：323.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD5NM60	文件：558.91 Kbytes Page：18 Pages	N-channel650V@Tjmax,0.9Ω,8AMDmesh™PowerMOSFETTO-220,TO-220FP,D2PAK,DPAK,IPAK Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPower MOSFETtechnologythatassociatesthemultiple drainprocesswiththecompany’sPowerMESH™ horizontallayout.Theresultingproducthasan outstandinglowon-resistance,impressivelyhigh dv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.The	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD5NM60	文件：45.89 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL600V-0.8ohm-5ADPAKMDmeshPowerMOSFET Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPowerMOSFETtechnologythatassociatesthemultipledrainprocesswiththecompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadopt	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD5NM60	文件：603.7 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL600V-0.9ohm-8ATO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKMDmesh??PowerMOSFET Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPowerMOSFETtechnologythatassociatesthemultipledrainprocesswiththecompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadopt	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD5NM60	文件：489.18 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNEL650VTjmax-0.9ohm-8ATO-220/FP/D/IPAK/D2PAKSTripFETIIMOSFET Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPowerMOSFETtechnologythatassociatesthemultipledrainprocesswiththecompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadopt	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP5NM60	文件：319.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES •DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Switchingapplic	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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