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AOT5N60	文件：137.69 Kbytes Page：5 Pages	600V,5AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT5N60	文件：356.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BLV5N60	文件：396.41 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd 伊泰克电子北京伊泰克电子有限公司	ESTEK
BRD5N60	文件：804.5 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BRF5N60	文件：802.72 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
CM5N60F	文件：489.01 Kbytes Page：10 Pages	5A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMstructureVDMOStechnology.The improvedplanarstripecellandtheimprovedguardring terminalhavebeenespeciallytailoredtominimize	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
FCD5N60	文件：947.92 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET™is,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,provi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCD5N60	文件：353.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCD5N60TF	文件：947.92 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET™is,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,provi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCD5N60TM	文件：947.92 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET™is,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,provi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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