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55GN01CA分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

55GN01CA
厂商型号

55GN01CA

参数属性

55GN01CA 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP

功能描述

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF Wide-band Low-noise Amplifier Applications

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

55.23 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Sanyo Semicon Device
企业简称

SANYO三洋

中文名称

三洋电机株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 14:32:00

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55GN01CA规格书详情

UHF Wide-band Low-noise Amplifier Applications

特性 Features

• High cutoff frequency : fT=5.5GHz typ

• High gain : ⏐S21e⏐2=9.5dB typ (f=1GHz)

产品属性

  • 产品编号:

    55GN01CA-TB-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    4.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.9dB @ 1GHz

  • 增益:

    9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    3-CP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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