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2N5551BU	文件：323.78 Kbytes Page：11 Pages	丝印：5551；Package：TO-923L；NPN General-Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers. 文件：323.78 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5551TA	文件：323.78 Kbytes Page：11 Pages	丝印：5551；Package：TO-923L；NPN General-Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers. 文件：323.78 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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PZT5551	文件：352 Kbytes Page：4 Pages	丝印：5551；Package：SOT-223；NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor P/b Lead(Pb)-Free 文件：352 Kbytes 页数：4 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
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55510000	文件：91.25 Kbytes Page：1 Pages	SILVYN® BMC-M Features: High mechanical strength Corrosion resistant 文件：91.25 Kbytes 页数：1 Pages	LAPP 缆普	LAPP
55510010	文件：91.25 Kbytes Page：1 Pages	SILVYN® BMC-M Features: High mechanical strength Corrosion resistant 文件：91.25 Kbytes 页数：1 Pages	LAPP 缆普	LAPP
55510020	文件：91.25 Kbytes Page：1 Pages	SILVYN® BMC-M Features: High mechanical strength Corrosion resistant 文件：91.25 Kbytes 页数：1 Pages	LAPP 缆普	LAPP
55510030	文件：91.25 Kbytes Page：1 Pages	SILVYN® BMC-M Features: High mechanical strength Corrosion resistant 文件：91.25 Kbytes 页数：1 Pages	LAPP 缆普	LAPP

详细参数

型号：
5551
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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