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520N20N	文件：1.36986 Mbytes Page：11 Pages	型号：ISZ520N20NM6；Package：PG-TSDSON-8FL；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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文件：1.36986 Mbytes

Page：11 Pages

型号：ISZ520N20NM6；Package：PG-TSDSON-8FL；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多520N20N供应商更新时间2025-8-3 11:01:00

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