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500N20NS	文件：580.52 Kbytes Page：9 Pages	型号：BSC500N20NS3；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Ideal for high-frequency switching a 文件：580.52 Kbytes 页数：9 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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500N20NS

文件：580.52 Kbytes

Page：9 Pages

型号：BSC500N20NS3；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Ideal for high-frequency switching a

文件：580.52 Kbytes 页数：9 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

型号：
500N20NS
功能描述：
MOSFET MV POWER MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多500N20NS供应商更新时间2025-8-5 9:04:00

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