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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization: 文件：258.44 Kbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • Package with Low Thermal Resistance • 100 % Rg and UIS Tested 文件：254.72 Kbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.72555 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.72545 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.62231 Mbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：896.87 Kbytes 页数：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
丝印：4N0605；Package：PG-TO263-3-2；OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：175.77 Kbytes 页数：9 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
丝印：4N0605；Package：PG-TO262-3-1；OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：175.77 Kbytes 页数：9 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
丝印：4N0605；Package：PG-TO220-3-1；OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：175.77 Kbytes 页数：9 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON |
22+ |
TO-263 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON |
25+ |
TO-263 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-262 |
60000 |
询价 | |||
LTVB |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-262 |
405908 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO252 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
INFINEON |
09+ |
TO-262 |
362 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
21+ |
TO263-6 |
200 |
原装现货,假一罚十 |
询价 |
