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4816	文件：91.82 Kbytes Page：8 Pages	型号：SI4816DY；Package：SO-8；Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES •LITTLEFOOTrPlusPowerMOSFET •100RgTested	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
4816N	文件：440.07 Kbytes Page：6 Pages	型号：NTMS4816N；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses Applications •DiskDrives •DC−DCConverters •Printers (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=11A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
4816N	文件：440.07 Kbytes Page：6 Pages	型号：NTMS4816NR2G；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses Applications •DiskDrives •DC−DCConverters •Printers (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=11A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
4816B	文件：4.11502 Mbytes Page：11 Pages	型号：SI4816BDY-T1-GE3；Package：SOP-8；Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)=19m2(typ.)@VGs=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGS=4.5V Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGs=10V GS RDSON=14m2(typ.)@V=4.5V DS'ON ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
4816B	文件：4.118569 Mbytes Page：11 Pages	型号：TPM4816BS8；Package：SOP-8；Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)=19m2(typ.)@VGs=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGs=4.5V ●Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=14m2(typ.)@VGS=4.5V ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
4816B	文件：4.1295 Mbytes Page：11 Pages	型号：TPSI4816BDY-T1-GE3；Package：SOP-8；Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)19m2(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGs=4.5V ●Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGS=10V RDSON=14m2(typ.)@VGs=4.5V ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
4816B	文件：88.01 Kbytes Page：9 Pages	型号：SI4816BDY；Package：SO-8；Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
4816B	文件：264.91 Kbytes Page：13 Pages	型号：SI4816BDY；Package：SO-8；Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
4816
功能描述：
MOSFET 30V 6.3/10A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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